BSM300D12P3E005 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列
罗姆半导体 BSM300D12P3E005 FET、MOSFET 阵列
BSM300D12P3E005是罗姆半导体旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BSM300D12P3E005现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BSM300D12P3E005 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 91mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Power - Max | 1260W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
BSM300D12P3E005 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BSM300D12P3E005 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。SILICON CARBIDE POWER MODULE. B。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)、Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA。
BSM300D12P3E005 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（14000pF @ 10V）、Power - Max（1260W (Tc)）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
BSM300D12P3E005 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供BSM300D12P3E005价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 BSM300D12P3E005 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是罗姆半导体代理商，专业供应BSM300D12P3E005等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要BSM300D12P3E005的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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