IPG20N10S436AATMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 IPG20N10S436AATMA1 FET、MOSFET 阵列
IPG20N10S436AATMA1是英飞凌科技旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供IPG20N10S436AATMA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供IPG20N10S436AATMA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 16µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 25V |
| Power - Max | 43W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
IPG20N10S436AATMA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
IPG20N10S436AATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V。
IPG20N10S436AATMA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 16µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（990pF @ 25V）、Power - Max（43W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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