GSFQ6806 固錸 semiconductorFET、MOSFET 阵列
固錸 semiconductor GSFQ6806 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2440pF @ 20V |
| Power - Max | 2.1W (Tc) |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
GSFQ6806 固錸 semiconductorFET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
GSFQ6806 是由 固錸 semiconductor 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, N-CH, DUAL, 20A, 60V, SO。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)。
GSFQ6806 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(28mOhm @ 20A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(42nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2440pF @ 20V)、Power - Max(2.1W (Tc)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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