规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.3mOhm @ 4A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 662pF @ 15V |
| Power - Max | 6W |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
CSD87333Q3D 德州仪器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
CSD87333Q3D 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A。
CSD87333Q3D 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（14.3mOhm @ 4A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.6nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（662pF @ 15V）、Power - Max（6W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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