规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
AONY36354 万国半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
AONY36354 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V。
AONY36354 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V, 40nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（820pF @ 15V, 1890pF @ 15V）、Power - Max（3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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