QS8M11TCR 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列
罗姆半导体 QS8M11TCR FET、MOSFET 阵列
QS8M11TCR是罗姆半导体旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供QS8M11TCR现货库存与价格报价查询。我们可为您提供QS8M11TCR datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | - |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
QS8M11TCR 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
QS8M11TCR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A、Mounting Type: Surface Mount、Package / Case: 8-SMD, Flat Lead。
QS8M11TCR 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package（TSMT8） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
QS8M11TCR 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供QS8M11TCR价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 QS8M11TCR 的最新价格和交期信息。
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