规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
SH8K25GZ0TB 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
SH8K25GZ0TB 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V。
SH8K25GZ0TB 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.7nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（100pF @ 10V）、Power - Max（2W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
SH8K25GZ0TB 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供SH8K25GZ0TB价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 SH8K25GZ0TB 的最新价格和交期信息。
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