规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125pf @ 15V |
| Power - Max | 2.4W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
QH8KA1TCR 罗姆半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
QH8KA1TCR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。30V NCH+NCH POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA。
QH8KA1TCR 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（125pf @ 15V）、Power - Max（2.4W）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
QH8KA1TCR 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供QH8KA1TCR价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 QH8KA1TCR 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是罗姆半导体代理商，专业供应QH8KA1TCR等FET、MOSFET 阵列 产品。如您需要QH8KA1TCR的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供QH8KA1TCR现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
