
规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A, 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 767pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DMC3021LSDQ-13 德利通FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DMC3021LSDQ-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A。
DMC3021LSDQ-13 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(21mOhm @ 7A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(16.1nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(767pF @ 10V)、Power - Max(2.5W) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通:**Diodes Incorporated(德利通):赋能未来,驱动创新**
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