DMP31D7LVQ-7 德利通FET、MOSFET 阵列
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMP31D7LVQ-7
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 620mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 420mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19pF @ 15V |
| Power - Max | 500mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMP31D7LVQ-7产品描述
DMP31D7LVQ-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFETBVDSS:8V~24VSOT563T&R3K。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)。
DMP31D7LVQ-7 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（900mOhm @ 420mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.8nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（19pF @ 15V）、Power - Max（500mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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