规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.86nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 16V |
| Power - Max | 150mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
微电子元件公司 FET、MOSFET 阵列 产品 SI3139KDWA-TP产品描述
SI3139KDWA-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL P CHANNEL MOSFET,SOT-363。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 4.5V。
SI3139KDWA-TP 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.86nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（40pF @ 16V）、Power - Max（150mW (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
SI3139KDWA-TP 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 微电子元件公司 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 SI3139KDWA-TP 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是微电子元件公司代理商，专业供应SI3139KDWA-TP等FET、MOSFET 阵列 产品。我们提供SI3139KDWA-TP现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取SI3139KDWA-TP的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
