规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 327pF @ 10V |
| Power - Max | 243mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
微电子元件公司 FET、MOSFET 阵列 产品 SI2129DW-TP产品描述
SI2129DW-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL P-CHANNEL MOSFET,SOT-363。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1A, 4.5V。
SI2129DW-TP 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.5nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（327pF @ 10V）、Power - Max（243mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
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