CMRDM3575 TR PBFREE 中央半导体FET、MOSFET 阵列
中央半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 CMRDM3575 TR PBFREE
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160mA, 140mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.46nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 15V |
| Power - Max | 125mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
中央半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 CMRDM3575 TR PBFREE产品描述
CMRDM3575 TR PBFREE 是由 中央半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 20V SOT963。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA。
CMRDM3575 TR PBFREE 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(3Ohm @ 100mA, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.46nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(9pF @ 15V)、Power - Max(125mW) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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