规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| Power - Max | 120mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | VMT6 |
罗姆半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 VT6K1T2CR产品描述
VT6K1T2CR 是由 罗姆半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA。
VT6K1T2CR 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（3.5Ohm @ 100mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 100µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7.1pF @ 10V）、Power - Max（120mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
VT6K1T2CR 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 VT6K1T2CR 的最新价格和交期信息。
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