规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA, 130mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V, 30pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
微电子元件公司 FET、MOSFET 阵列 产品 BSS8402DW-TP产品描述
BSS8402DW-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, SOT-363。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA, 130mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V, 10Ohm @ 100mA, 5V。
BSS8402DW-TP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA, 2V @ 250µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（50pF @ 25V, 30pF @ 25V）、Power - Max（200mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
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