FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
深圳凌创辉电子有限公司是英飞凌科技代理商，专业供应FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1等FET、MOSFET 阵列 产品。我们提供FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 100A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 40mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 297nC @ 18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 800V |
| Power - Max | 20mW |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B |
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1产品描述
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。LOW POWER EASY。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Silicon Carbide (SiC)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)。
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（8.1mOhm @ 100A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.15V @ 40mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（297nC @ 18V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（8800pF @ 800V）、Power - Max（20mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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