FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 英飞凌科技FET、MOSFET 阵列
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | - |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B |
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 FF17MR12W1M1HPB11BPSA1产品描述
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。LOW POWER EASY。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Mounting Type: Chassis Mount、Package / Case: Module、Supplier Device Package: AG-EASY1B。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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