规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA, 660mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 16V, 170pF @ 16V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
微电子元件公司 FET、MOSFET 阵列 产品 SIX3439K-TP产品描述
SIX3439K-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。N/P-CHANNELMOSFETSOT-563。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 660mA。
SIX3439K-TP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（120pF @ 16V, 170pF @ 16V）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
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