规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2348pF @ 25V |
| Power - Max | 68W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Supplier Device Package | LFPAK56D |
Nexperia FET、MOSFET 阵列 产品 PSMN9R3-60HSX产品描述
PSMN9R3-60HSX 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。PSMN9R3-60HS/SOT1205/LFPAK56D。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V。
PSMN9R3-60HSX 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（34.2nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2348pF @ 25V）、Power - Max（68W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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