NTMFD1D6N03P8 安森美FET、MOSFET 阵列

安森美 FET、MOSFET 阵列 产品 NTMFD1D6N03P8产品描述

NTMFD1D6N03P8 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。PT8 N-CH DUAL 30V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)。

NTMFD1D6N03P8 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA, 3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24nC @ 10V, 87nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V）、Power - Max（2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。

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