DMT32M6LDG-13 德利通FET、MOSFET 阵列
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMT32M6LDG-13
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 47A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2101pF @ 15V |
| Power - Max | 1.1W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PowerDI3333-8 (Type G) |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMT32M6LDG-13产品描述
DMT32M6LDG-13 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)。
DMT32M6LDG-13 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.5mOhm @ 18A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 400µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15.6nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2101pF @ 15V）、Power - Max（1.1W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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