APT40SM120B 美高森美单 FET、MOSFET
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 APT40SM120B
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如需获取APT40SM120B的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 273W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Package / Case | TO-247-3 |
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 APT40SM120B产品描述
APT40SM120B 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 41A TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
APT40SM120B 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（100mOhm @ 20A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 1mA (Typ)）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（130 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+25V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2560 pF @ 1000 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
APT40SM120B 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 APT40SM120B 的最新价格和交期信息。
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