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CMPDM203NH TR

¥0.00
单 FET、MOSFET
中央半导体

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F

参数名称参数值
Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds395 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)350mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23F
Package / CaseSOT-23-3 Flat Leads

关于 CMPDM203NH TR

CMPDM203NH TR 是由 中央半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。

CMPDM203NH TR 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(50mOhm @ 1.6A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(10 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(12V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(395 pF @ 10 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。

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CMPDM203NH TR 是什么类型的电子元器件?

CMPDM203NH TR 是由 中央半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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