规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Package / Case | 18-CLCC |
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 2N6849U产品描述
2N6849U 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
2N6849U 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（300mOhm @ 4.1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（34.8 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Power Dissipation (Max)（800mW (Ta), 25W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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