JANTX2N6798 美高森美单 FET、MOSFET
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 JANTX2N6798
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 JANTX2N6798产品描述
JANTX2N6798 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
JANTX2N6798 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（420mOhm @ 5.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（42.07 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Power Dissipation (Max)（800mW (Ta), 25W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
JANTX2N6798 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 JANTX2N6798 的最新价格和交期信息。
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