MCPF18N20-BP 微电子元件公司单 FET、MOSFET
微电子元件公司 MCPF18N20-BP 单 FET、MOSFET
MCPF18N20-BP是微电子元件公司旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MCPF18N20-BP现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MCPF18N20-BP datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 836 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 35W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
MCPF18N20-BP 微电子元件公司单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
MCPF18N20-BP 是由 微电子元件公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CHANNEL MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
MCPF18N20-BP 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（160mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17.7 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（836 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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