规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | 12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Package / Case | TO-243AA |
CXDM3069N BK 中央半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
CXDM3069N BK 是由 中央半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V。
CXDM3069N BK 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（580 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体：Central Semiconductor，中文名「中央半导体」，自1974年起，便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商，中央半导体在数十年的发展历程中，凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求，赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件，包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件，是现代电子设备不可或缺的组成部分。
CXDM3069N BK 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 中央半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供CXDM3069N BK价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 CXDM3069N BK 的最新价格和交期信息。
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