
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.566 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9 pF @ 3 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 100mW (Ta) |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-883VL |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
CEDM7001VL BK 中央半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
CEDM7001VL BK 是由 中央半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883VL。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V。
CEDM7001VL BK 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(3Ohm @ 10mA, 4V)、Vgs(th) (Max) @ Id(900mV @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.566 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(9 pF @ 3 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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