规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 150mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 113 pF @ 16 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 100mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
SI3139KL3-TP 微电子元件公司单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
SI3139KL3-TP 是由 微电子元件公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
SI3139KL3-TP 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（500mOhm @ 150mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250µA）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（113 pF @ 16 V）、Power Dissipation (Max)（100mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微电子元件公司：**Micro Commercial Components (MCC) 微电子元件公司：您值得信赖的高品质分立半导体解决方案提供商**
SI3139KL3-TP 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 微电子元件公司 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供SI3139KL3-TP价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 SI3139KL3-TP 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是微电子元件公司代理商，专业供应SI3139KL3-TP等单 FET、MOSFET 产品。如您需要SI3139KL3-TP的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供SI3139KL3-TP现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
