
TPH3206LDG-TR Transphorm单 FET、MOSFET
Transphorm TPH3206LDG-TR 单 FET、MOSFET
TPH3206LDG-TR是Transphorm旗下的单 FET、MOSFET 产品,深圳凌创辉电子有限公司提供TPH3206LDG-TR现货库存与价格报价查询。我们可为您提供TPH3206LDG-TR datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐,原装正品保障,支持批量采购与在线询价,发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
TPH3206LDG-TR Transphorm单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
TPH3206LDG-TR 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V。
TPH3206LDG-TR 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(180mOhm @ 11A, 8V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.6V @ 500µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9.3 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±18V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(760 pF @ 480 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Transphorm:Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球领先的高性能、高可靠性氮化镓(GaN)**元器件**制造商,专注于高压**电子元件**的功率转换系统设计与生产。公司拥有业界规模庞大的GaN知识产权组合,超过1000项专利,这使其能够提供行业内最全面的GaN**IC芯片**产品线,覆盖从45瓦到10千瓦以上广泛的功率等级,满足多样化的应用需求。Transphorm的SuperGaN®平台核心技术优势显著,在可制造性、设计灵活性、驱动性能和可靠性方面均表现卓越。
TPH3206LDG-TR 现货库存充足,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Transphorm 代理商和供应商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,来源可靠可追溯。我们提供TPH3206LDG-TR价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务,支持批量采购与在线询价。立即申请报价,获取 TPH3206LDG-TR 的最新价格和交期信息。
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