规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 576 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
TP65H150LSG Transphorm单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
TP65H150LSG 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TP65H150LSG 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（180mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.8V @ 500µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.1 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（576 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Transphorm：Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球领先的高性能、高可靠性氮化镓（GaN）**元器件**制造商，专注于高压**电子元件**的功率转换系统设计与生产。公司拥有业界规模庞大的GaN知识产权组合，超过1000项专利，这使其能够提供行业内最全面的GaN**IC芯片**产品线，覆盖从45瓦到10千瓦以上广泛的功率等级，满足多样化的应用需求。Transphorm的SuperGaN®平台核心技术优势显著，在可制造性、设计灵活性、驱动性能和可靠性方面均表现卓越。
TP65H150LSG 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Transphorm 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供TP65H150LSG价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 TP65H150LSG 的最新价格和交期信息。
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