规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950 pF @ 700 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 556W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
APT130SM70B 美高森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
APT130SM70B 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 700V 110A TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
APT130SM70B 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 60A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（220 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+25V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3950 pF @ 700 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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