
JAN2N6898 美高森美单 FET、MOSFET
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 JAN2N6898
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如需获取JAN2N6898的最新报价或技术支持,请联系我们的销售团队:0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 15.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 JAN2N6898产品描述
JAN2N6898 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
JAN2N6898 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(200mOhm @ 15.8A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 250µA)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(3000 pF @ 25 V)、Power Dissipation (Max)(150W (Tc)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半导体解决方案的行业领导者**
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