| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | 4-Power Tab |
| Package / Case | 4-SIP |
关于 HTNFET-T
HTNFET-T 是由 霍尼韦尔航空航天 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V。
HTNFET-T 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 100µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.3 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（290 pF @ 28 V）、Power Dissipation (Max)（50W (Tj)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 霍尼韦尔航空航天：Honeywell Aerospace，作为全球领先的航空航天技术和服务供应商，以其卓越的创新能力和深厚的技术积淀，在电子元器件领域扮演着举足轻重的角色。公司数十年来一直致力于高精度惯性传感器（IMU）的研发与生产，并已成功交付超过五十万个单位，这些核心电子元件广泛应用于当今几乎所有飞行中的飞机和航天器上，为其提供至关重要的导航支持。Honeywell Aerospace凭借其在传感器技术方面的核心优势，不断推动航空航天乃至更广泛工业领域的进步。
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新闻资讯
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