NP82N055NUG-S18-AY 日电单 FET、MOSFET
日电 NP82N055NUG-S18-AY 单 FET、MOSFET
NP82N055NUG-S18-AY是日电旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供NP82N055NUG-S18-AY现货库存与价格报价查询。我们可为您提供NP82N055NUG-S18-AY datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 82A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9600 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
NP82N055NUG-S18-AY 日电单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
NP82N055NUG-S18-AY 是由 日电 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 55V 82A TO262。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V。
NP82N055NUG-S18-AY 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（160 nC @ 10 V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（9600 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（1.8W (Ta), 143W (Tc)）、Operating Temperature（175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 日电：NEC Corporation 是一家总部位于日本的全球性信息技术公司，成立于1899年。作为一家多元化的企业，NEC 在通信、计算机、电子设备和系统集成等领域拥有广泛的业务。公司致力于通过创新技术解决社会问题，提供包括人工智能、物联网、云计算和网络安全在内的先进解决方案。NEC 在全球范围内拥有强大的市场影响力，尤其在公共安全、交通管理和企业解决方案方面表现突出。公司秉承“通过创新实现社会价值”的理念，不断推动技术进步，助力构建更加智能和可持续的未来。
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