规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1170 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
BUK6218-40C 恩智浦半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BUK6218-40C 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
BUK6218-40C 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（16mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（22 nC @ 10 V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1170 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（60W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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