规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-204AA (TO-3) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
IRF323 国际整流器单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
IRF323 是由 国际整流器 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A、Power Dissipation (Max): 50W。
IRF323 共有 9 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Mounting Type（Through Hole）、Supplier Device Package（TO-204AA (TO-3)）、Package / Case（TO-204AA, TO-3） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 国际整流器：International Rectifier（中文名：国际整流器），作为一家在电子元器件行业享有盛誉的品牌，凭借其深厚的技术积淀和卓越的产品性能，在全球范围内赢得了广泛认可。自创立以来，国际整流器始终专注于高端电源管理半导体和功率器件的研发、制造与销售，为现代电子设备的发展注入强大动力。其主营产品类别涵盖了功率 MOSFET、IGBT、二极管、整流器、电源管理 IC、模拟 IC 以及一系列高集成度的电源模块等，这些**电子元件**构成了各类电子系统中的关键组成部分。
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