| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 34 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
关于 XP231P0201TR-G
XP231P0201TR-G 是由 拓力半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
XP231P0201TR-G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5Ohm @ 100mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250µA）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（34 pF @ 10 V）、Power Dissipation (Max)（400mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 拓力半导体：Torex Semiconductor Ltd.，中文名为拓力半导体，是一家在全球电子元器件市场享有盛誉的领先企业，尤其专注于为电池供电和追求极致能效的应用提供高性能的CMOS电源管理集成电路（IC芯片）。拓力半导体深耕于CMOS模拟技术领域，凭借其在低压差线性稳压器（LDO）、电压检测器以及DC/DC转换器等核心产品线上的卓越表现，赢得了广大工程师和制造商的信赖。其独特之处在于，通过精密的激光修整技术，拓力半导体能够提供高达1%甚至2%的高精度电子元件，并且许多器件支持以0.05V的微小步进进行电压调节，为设计者提供了前所未有的灵活性和精确控制能力，这在任何需要精确电压轨的精密设备中都至关重...
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新闻资讯
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