规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 3.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 266W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Package / Case | TO-220-3 |
NTP067N65S3H 安森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
NTP067N65S3H 是由 安森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
NTP067N65S3H 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（67mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 3.9mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（80 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3750 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
NTP067N65S3H 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 安森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供NTP067N65S3H价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 NTP067N65S3H 的最新价格和交期信息。
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