规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3680 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
英飞凌科技 单 FET、MOSFET 产品 BSZ025N04LSATMA1产品描述
BSZ025N04LSATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
BSZ025N04LSATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.5mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（52 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3680 pF @ 20 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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