规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6319 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PSMN5R2-60YLX产品描述
PSMN5R2-60YLX 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V。
PSMN5R2-60YLX 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5.2mOhm @ 25A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（39.4 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6319 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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