IAUC120N06S5L032ATMA1 英飞凌科技单 FET、MOSFET
英飞凌科技 单 FET、MOSFET 产品 IAUC120N06S5L032ATMA1
深圳凌创辉电子有限公司是英飞凌科技代理商，专业供应IAUC120N06S5L032ATMA1等单 FET、MOSFET 产品。我们提供IAUC120N06S5L032ATMA1现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 44µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3823 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
英飞凌科技 单 FET、MOSFET 产品 IAUC120N06S5L032ATMA1产品描述
IAUC120N06S5L032ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V。
IAUC120N06S5L032ATMA1 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 44µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（51.5 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±16V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3823 pF @ 30 V）、Power Dissipation (Max)（94W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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IAUC120N06S5L032ATMA1 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 英飞凌科技 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 IAUC120N06S5L032ATMA1 的最新价格和交期信息。
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