规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Configuration | Asymmetrical Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Power - Max | 312 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.45 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP3 |
| Supplier Device Package | SP3 |
APTGF50DH120T3G 微芯科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
APTGF50DH120T3G 是由 微芯科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Configuration: Asymmetrical Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 70 A、Power - Max: 312 W。
APTGF50DH120T3G 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（3.7V @ 15V, 50A）、Current - Collector Cutoff (Max)（250 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（3.45 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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