规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Power - Max | 142.8 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 15A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 985 pF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | ACEPACK™ 1 |
A1C15S12M3 意法半导体IGBT模块 - 规格参数与选型指南
A1C15S12M3 是由 意法半导体 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MOD 1200V 15A ACEPACK1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Phase Inverter with Brake、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 15 A、Power - Max: 142.8 W。
A1C15S12M3 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.45V @ 15V, 15A）、Current - Collector Cutoff (Max)（100 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（985 pF @ 25 V）、Input（Three Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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