规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Power - Max | 335 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.2 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FS100R07N3E4_B11 英飞凌科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
FS100R07N3E4_B11 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Power - Max: 335 W。
FS100R07N3E4_B11 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（1.95V @ 15V, 100A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（6.2 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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