规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | 2 Independent |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 61 A |
| Power - Max | 186 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.075 nF @ 20 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | 22-PIM (55x32.5) |
NXH100B120H3Q0PG 安森美IGBT模块 - 规格参数与选型指南
NXH100B120H3Q0PG 是由 安森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: 2 Independent、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 61 A、Power - Max: 186 W。
NXH100B120H3Q0PG 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.3V @ 15V, 50A）、Current - Collector Cutoff (Max)（200 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（9.075 nF @ 20 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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