FS50R12W1T7B11BOMA1 英飞凌科技IGBT模块
英飞凌科技 FS50R12W1T7B11BOMA1 IGBT模块
FS50R12W1T7B11BOMA1是英飞凌科技旗下的IGBT模块 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供FS50R12W1T7B11BOMA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供FS50R12W1T7B11BOMA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 7.9 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 11.1 nF @ 25 V |
| Input | - |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FS50R12W1T7B11BOMA1 英飞凌科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
FS50R12W1T7B11BOMA1 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE LOW POWER EASY。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA、Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V、NTC Thermistor: No。
FS50R12W1T7B11BOMA1 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（-40°C ~ 175°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module）、Supplier Device Package（Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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