| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Level Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 303 A |
| Power - Max | 592 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 375A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 24.146 nF @ 20 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | 42-PIM/Q2PACK (93x47) |
关于 NXH350N100H4Q2F2S1G-R
NXH350N100H4Q2F2S1G-R 是由 安森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。GEN1.5 1500V MASS MARKET。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Level Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V、Current - Collector (Ic) (Max): 303 A、Power - Max: 592 W。
NXH350N100H4Q2F2S1G-R 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic(2.3V @ 15V, 375A)、Current - Collector Cutoff (Max)(1 mA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(24.146 nF @ 20 V)、Input(Standard)、NTC Thermistor(Yes) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美:安森美(onsemi)作为全球领先的能源高效创新驱动者,致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局,为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别,包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分,安森美通过其丰富的产品组合,有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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NXH350N100H4Q2F2S1G-R 是由 安森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。
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