| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | 65ns/450ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 3.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
关于 SIGC81T60SNCX7SA1
SIGC81T60SNCX7SA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 3 CHIP 600V WAFER。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A。
SIGC81T60SNCX7SA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Type（Standard）、Td (on/off) @ 25°C（65ns/450ns）、Test Condition（400V, 100A, 3.3Ohm, 15V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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英飞凌科技 单 IGBT 产品 SIGC81T60SNCX7SA1
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