SIGC54T60R3EX7SA1 英飞凌科技单 IGBT
英飞凌科技 SIGC54T60R3EX7SA1 单 IGBT
SIGC54T60R3EX7SA1是英飞凌科技旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供SIGC54T60R3EX7SA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供SIGC54T60R3EX7SA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
SIGC54T60R3EX7SA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
SIGC54T60R3EX7SA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 3 CHIP 600V 100A WAFER。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A。
SIGC54T60R3EX7SA1 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Type（Standard）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Die）、Supplier Device Package（Die） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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